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电子元器件详细资料 » IC[21778] » IPB80N06S2-07
型号:IPB80N06S2-07类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C6.3 毫欧 @ 68A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 180µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs110nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds3400pF @ 25V
功率_最大250W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
深圳市博浩宇科技有限公司邹泽凯0755-82780609 (只做原装正品,假一赔十)
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北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
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